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机译：具有非平面门电极结构的绝缘栅场效应晶体管，用于优化跨导
公开/公告号US3450960A
专利类型
公开/公告日1969-06-17
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERN. BUSINESS MACHINES CORP.;
申请/专利号USD3450960
发明设计人 LEROY L. CHANG;LEO ESAKI;
申请日1965-09-29
分类号H01L29/00;H01L29/423;H01L29/78;
国家 US
入库时间 2022-08-23 11:41:46
机译： 在半导体器件中制造绝缘栅场效应晶体管的方法，其中通过在栅电极上形成硅化物来限定源/漏电极和场效应晶体管
机译： 在半导体器件中的绝缘栅场效应晶体管中，通过在栅电极上形成硅化物来限定源/漏电极和场效应晶体管
机译： 具有互补的通道结绝缘栅型场效应晶体管的半导体结构的设计和制造，其栅电极的工作功能接近中间间隙半导体值
