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机译:包含多层半导体绝缘材料的双层绝缘结构,用于集成电路隔离
公开/公告号US3519901A
专利类型
公开/公告日1970-07-07
原文格式PDF
申请/专利权人 TEXAS INSTRUMENTS INC.;
申请/专利号USD3519901
发明设计人 BILLY M. MARTIN;KENNETH E. BEAN;
申请日1968-01-29
分类号H01L11/00;H01L15/00;
国家 US
入库时间 2022-08-23 10:22:03
机译: 包含多层半导体绝缘材料的双层绝缘结构,用于集成电路隔离
机译: 在隔离结构建立之前,在至少一个P-N结或异质材料界面的硅集成电路中用聚硅氮烷材料填充高纵横比隔离结构的方法