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FABRICATION OF A SILICON-SILICON DIOXIDE INTERFACE OF PREDETERMINED SPACE CHARGE POLARITY

机译：预定空间电荷极性的硅-二氧化硅氧化物界面的制备

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机译：

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公开/公告号US3698948A

专利类型
公开/公告日1972-10-17

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申请/专利权人 MOTOROLA INC.;
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申请/专利号USD3698948
发明设计人 DONALD L. TOLLIVER;FRANK J. BARONE;
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申请日1968-07-26
分类号H01L7/00;C23C11/08;
国家 US
入库时间 2022-08-23 07:50:37

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