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机译:新的升程工艺制造负型光电掩膜的方法
公开/公告号JPS5293274A
专利类型
公开/公告日1977-08-05
原文格式PDF
申请/专利权人 TOPPAN PRINTING CO LTD;
申请/专利号JP19760009682
发明设计人 SUZUKI EIICHI;TERUNUMA HIROAKI;
申请日1976-01-31
分类号G03F1/00;G03F1/68;G03F1/80;H01L21/027;H01L21/308;
国家 JP
入库时间 2022-08-23 01:04:49
机译: 化学放大抗蚀剂组合物,负型化学放大抗蚀剂组合物,使用相同的抗蚀剂膜,抗蚀剂涂敷的空白,光掩模和图案形成方法以及制造电子设备和电子设备的方法
机译: 团簇型空白膜及其制造工艺和光掩模的制造方法
机译: 利用3维压印和剥离工艺的十字型相变装置的制造方法以及由该方法制造的十字型相变装置