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一种新的温度传感器——JFET-λ型负阻二极管负阻振荡的应用

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文摘

英文文摘

第一章绪论

1.1负阻器件的发展简史

1.2负阻的基本概念

1.3负阻器件的研究现状

1.4本文的研究重点及章节安排

第二章JFET-λ型负阻二极管的基本结构及其伏安特性

2.1 JFET-λ型负阻二极管的基本结构与V-I特性

2.2 JFET-λ型负阻二极管的参数与JFET参数的关系

2.3器件V-I特性及其参数的实验测定

第三章负阻振荡的分析

3.1负阻振荡原理

3.2负阻振荡的近似非线性理论分析

3.3外围元件参数的取值对振荡的影响

3.4实验

小结

第四章JFET-λ型负阻二极管温度特性的分析

4.1电导及其相对温度变化率的理论计算

4.2 Vpn、Vpp的取值对g和1/g dg/dT的影响

4.3峰值电压Vp的温度特性

4.4实验

小结

第五章负阻振荡在温度传感方面的应用

5.1负阻振荡的温度特性

5.2增大1/S1 dS1/dT项温度系数的考虑

5.3减少1/(Vm-Vp)(dVm/dT - dVp/dT)项温度系数的考虑

5.4实验

5.5传感器的特性与指标

小结

参考文献

附录

致谢

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摘要

论文对JFET-λ型负阻二极和管的电导及其温度特性进行了详细的研究,结合JFET-λ型负阻二极管负阻振荡分析,提出了将此器件应用于温度传感领域的新思想.这种温度传感器以JFET-λ型负阻二极和管为感温元件,以振荡器的稳态振幅为输出信号.实验结果表明,在不采用任何补偿措施的情况下,在-5℃~55℃的温度范围内,传感器的线性度可以达到1﹪,并同时可以得到大于10mV/℃的灵敏度.此外,其交流形式的输出信号还具有方便后续对传感信号的传输与处理的特点.

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