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吴大军; 杨姗姗; 温殿忠;
江苏省电子产品装备制造工程技术研究开发中心,江苏淮安 223003;
淮安信息职业技术学院,江苏淮安 223003;
黑龙江大学 集成电路重点实验室,黑龙江哈尔滨 150081;
硅磁敏二极管; 负阻特性; 测试; 传感器;
机译:长基区硅磁敏晶体管负电阻振荡特性的机制研究
机译:偏置在差分负阻区的谐振隧穿二极管的弛豫振荡抑制条件的理论分析
机译:谐振隧道二极管振荡器中太赫兹负差分传导温度特性及估计的测量
机译:基于ATLAS的长基硅磁敏二极管负阻特性仿真研究
机译:压阻硅纳米级悬臂的特性及其在BioNEMS中的应用。
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:基于aTLas的长基硅磁敏二极管负阻特性仿真研究
机译:负阻元件引入的互耦输电线路的特性及其在隧道二极管脉冲电路中的应用
机译:差动电压控制振荡器改善了负阻,从而可以降低初始振荡电流和功耗,从而改善了共鸣器的负阻
机译:负特性电阻的组成,负特性电阻的阻焊剂和负特性热敏电阻
机译:负阻二极管振荡器
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