首页> 外国专利> Method of selective etching of materials utilizing masks of binary silicate glasses

Method of selective etching of materials utilizing masks of binary silicate glasses

机译:利用二元硅酸盐玻璃掩模选择性刻蚀材料的方法

摘要

A method of etching a layer of material on the surface of a substrate of silicon dioxide utilizes an etch mask constituted of a binary silicate glass. The binary silicate glass is removed subsequent to the etching of the layer without affecting the substrate of silicon dioxide.
机译:在二氧化硅衬底的表面上蚀刻材料层的方法利用由二元硅酸盐玻璃构成的蚀刻掩模。在蚀刻该层之后去除二元硅酸盐玻璃,而不会影响二氧化硅的基材。

著录项

  • 公开/公告号US4040893A

    专利类型

  • 公开/公告日1977-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC COMPANY;

    申请/专利号US19760676367

  • 发明设计人 MARIO GHEZZO;

    申请日1976-04-12

  • 分类号H01L21/312;B44C1/22;C23E1/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 23:30:22

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号