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机译：非结型硅晶片中浸入式氧气含量的非破坏性测量方法
公开/公告号JPS5491049A
专利类型
公开/公告日1979-07-19
原文格式PDF
申请/专利权人 IBM;
申请/专利号JP19780140565
发明设计人 MAN SOKU PATSUKU;ROJIYAA REONAADO BAAKIRU;
申请日1978-11-16
分类号G01N21/88;G01N21/956;G01N27/02;G01R31/265;H01L21/66;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 21:01:28
机译： 用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的P方法，用于制造硅单晶晶片的工艺确定方法以及具有用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的程序的记录介质
机译： 在用于制备氧沉淀物行为测量方法的单晶行为测量程序中记录用于确定硅氧如何沉淀的步骤以及硅单晶介质中的硅单晶片
机译： 确定单晶硅晶片中的氧沉淀行为模型的方法，确定使用所述模型生产单晶硅晶片的过程的方法以及记录介质，该程序携带用于确定单晶硅晶片中的氧沉淀行为模型的程序
