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Wafer FTIR - Measuring Interstitial Oxygen on as Cut and Processed Silicon Wafers

机译：晶圆FTIR-在切割和加工的硅晶圆上测量间隙氧

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Wolny Franziska; Krause Andreas; Oehlke Alexander; Wagner Matthias;
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年度 2016
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1. High temperature nitrogen annealing induced interstitial oxygen precipitation in silicon epitaxial layer on heavily arsenic-doped silicon wafer [J] . Q. Wang, Manmohan Daggubati, Rong Yu, Applied Physics Letters . 2006,第24期

机译：高温氮退火在重掺杂砷的硅晶片上的硅外延层中引起间隙氧沉淀
2. Comparison of diamond wire cut and silicon carbide slurry processed silicon wafer surfaces after acidic texturisation [J] . B. Meinel, T. Koschwitz, C. Blocks, Materials science in semiconductor processing . 2014,第Null期

机译：酸性组织化后金刚石线切割和碳化硅浆料处理的硅片表面的比较
3. Simox Wafers (Silicon wafers with a thin superficial silicon film separated from the body by implanted oxygen) [J] . M.Tachimori Nippon Steel Technical Report . 1997,第73期

机译：Simox晶片（硅晶片，表面硅薄膜很薄，通过注入的氧气与身体隔离）
4. Wafer FTIR-measuring interstitial oxygen on as cut and processed silicon wafers [C] . Franziska Wolny, Andreas Krause, Alexander Oehlke International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics . 2016

机译：晶圆FTIR测量的间质氧气作为切割和加工的硅晶片
5. Supercritical carbon dioxide processing of silicon wafer surfaces . [D] . Xie, Bo. 2005

机译：硅片表面的超临界二氧化碳处理。
6. A novel approach of high speed scratching on silicon wafers at nanoscale depths of cut [O] . Zhenyu Zhang, Dongming Guo, Bo Wang, -1

机译：一种在纳米切割深度上在硅晶片上高速刮擦的新颖方法
7. Robust Technique for Measuring and Simulating Silicon Wafer Quality Characteristics that Enable the Prediction of Solar Cell Electrical Performance of MEMC Silicon Wafer. Cooperative Research and Development Final Report, CRADA Number CRD-11-438 [O] . Bhushan Sopori 2015

机译：测量和模拟硅晶片质量特性的鲁棒技术，使MEMC硅晶片的太阳能电池电气性能预测。合作研发最终报告，CRADA号码CRD-11-438
8. Semiconductor Measurement Technology: Automatic Determination of the Interstitial Oxygen Content of Silicon Wafers Polished on Both Sides [R] . Gladden, W. K. , Slaughter, S. R. , Duncan, W. M. , 1988

机译：半导体测量技术：自动测定双面抛光硅晶片的间隙氧含量

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