退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:冰晶石的晶体生长过程
公开/公告号JPS5423879B2
专利类型
公开/公告日1979-08-16
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP19750142217
发明设计人
申请日1975-12-01
分类号C30B7/10;C01F7/54;C30B29/12;C30B29/34;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 21:00:04
机译: 冰晶石的晶体生长过程
机译: 高纯度复合材料CZOCHRALSKI工艺炉组件和半导体晶体生长装置
机译: 用于控制晶体生长过程的方法和用于自动控制晶体生长过程的设备