是通过钴的多晶铁氧体薄膜获得的,该薄膜特别用于磁性,光学应用,其处理方法是将硝酸盐水合铁和钴的溶液处理成气雾剂,然后将其投射到基板加热。如此获得的磁性层的旋光度等于直到本申请对磁性存储器已知的层的旋光度的几倍。 p>
公开/公告号FR2400493A1
专利类型
公开/公告日1979-03-16
原文格式PDF
申请/专利号FR19780023577
发明设计人
申请日1978-08-10
分类号C04B35/52;G02F1/09;G11C13/06;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 19:33:45