该装置包括从坩埚5中的熔体和团块16中拉出单晶的装置,该坩埚5由同轴安装的两个储存器6和7构成,并在它们之间界定了一个环形腔,用于接收载荷。内部储存器6相对于外部储存器7向下突出,并且在该突出部分中是熔融物质。 p> & &在容器内部的侧壁中并且在外部容器底部的水平处,由环形腔的熔融物质16的流出孔向内部容器6制成。在容器的底部安装在内部加热器自治装置11和12的外部。该设备尤其可以用于晶体以及单个光学半导体导体的生长。 p>
公开/公告号FR2371228B1
专利类型
公开/公告日1981-01-16
原文格式PDF
申请/专利权人 INSTITUT MONOKRISTALLOV;
申请/专利号FR19770035244
发明设计人
申请日1977-11-23
分类号B01J17/18;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 15:06:48