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N-CHANNEL METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR AMPLIFIER HAVING NON-IMPLANT TRANSISTORS

机译:具有非植入晶体管的N通道金属氧化物半导体放大器

摘要

The invention relates to an N-channel metal-oxide-semiconductor amplifier comprising non-implanted transistors. BR/ The amplifier 20 has transconductance transistors 22, 24 which receive a differential input signal. A load 26, 28 is connected to these transistors to produce an amplified output signal. Transconductance transistors are non-implanted transistors to substantially eliminate low frequency noise during operation of the amplifier. BR/ The invention applies in particular to telecommunications amplifiers. BR/ (CF DRAWING IN BOPI) BR/ BR/ / P
机译:本发明涉及一种包括非注入晶体管的N沟道金属氧化物半导体放大器。放大器20具有跨导晶体管22、24,其接收差分输入信号。负载26、28连接到这些晶体管以产生放大的输出信号。跨导晶体管是非植入晶体管,可在放大器工作期间基本消除低频噪声。
本发明尤其适用于电信放大器。
(在BOPI中绘制CF)

著录项

  • 公开/公告号FR2473791A1

    专利类型

  • 公开/公告日1981-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MOSTEK CORP;MOSTEK CORP;

    申请/专利号FR19810000376

  • 发明设计人 YOUNG IAN ALEXANDER;

    申请日1981-01-12

  • 分类号H01L29/78;H03F3/12;H03F3/45;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 15:02:07

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