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VERSIONS OF METHOD OF RECORDING INFORMATION IN MEMORY ELEMENT BASED ON N-CHANNEL METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

机译：基于N通道金属氧化物-半电子晶体管的记忆元件信息记录方法的版本

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摘要

the invention относитс to computer technology and can be used in a semiconductor storage devices.the purpose of изобретени - improving the reliability of recording information in the element пам ти

机译：本发明是针对计算机技术的，可以用于半导体存储设备。изобретени的目的-提高在元素中记录信息的可靠性

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公开/公告号SU1287231A1

专利类型
公开/公告日1987-01-30

原文格式PDF
申请/专利权人 SVERDLOV ALFRED SSU;SOSKIN BORIS MSU;
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申请/专利号SU19823466359
发明设计人 SVERDLOV ALFRED SSU;SOSKIN BORIS MSU;
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申请日1982-07-07
分类号G11C11/40;
国家 SU
入库时间 2022-08-22 07:14:01

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