公开/公告号CN101385148A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-03-11
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN200780005411.8
申请日2007-03-12
分类号H01L29/76(20060101);
代理机构31001 上海申汇专利代理有限公司;
代理人白璧华;翁若莹
地址 百慕大哈密尔顿
入库时间 2023-12-17 21:32:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-15
授权
授权
2009-05-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-03-11
公开
公开
机译: 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管,带有多个沟槽式源极-体接触,可减少栅极电荷
机译: 金属氧化物半导体场效应晶体管装置具有源极,漏极和栅极,该源极,漏极和栅极嵌入在从半导体本体突出的列和围绕该列并布置在本体上的绝缘体之间
机译: 用于半导体器件的功率晶体管栅极隔离测试方法,包括向导线施加测试电位以及在栅极触点和源极触点之间施加另一测试电位以确定故障电流