用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管单元

摘要

本发明公开一种半导体功率组件，其包括若干功率晶体管记忆胞，该记忆胞被开设于一半导体衬底中的沟槽所围绕。至少一半导体记忆胞进一步包括一开设在沟槽之间的沟槽式源极触点，此沟槽式源极触点穿过一源极区而进入一本体区中，从而将源极区与位于一绝缘层上方的源极金属电性连接，此沟槽式源极触点的沟槽底部表面更覆盖着一导电性材料，使作用就如一集成式肖特基势垒二极管在该有源记忆胞中。一隔离结构位于沟槽式栅极的底部并与沟槽式栅极绝缘，从而对沟槽式栅极与肖特基二极管两者提供屏蔽效应。