首页> 外国专利> Process for growing a superficial dielectric structure upon a substrate, made of a chemical compound, comprising at least two elements

Process for growing a superficial dielectric structure upon a substrate, made of a chemical compound, comprising at least two elements

机译:在包括至少两种元素的化合物制成的衬底上生长表面介电结构的方法

摘要

In a process for producing a surface compound between a substrate and a reactive species a thin layer permeable to the species in question is deposited on the substrate. A particularly interesting case is the oxidation of a substrate of gallium arsenide, the thin layer being made from zirconia doped with lime.
机译:在用于在基底和反应性物质之间产生表面化合物的方法中,可将所述物质可渗透的薄层沉积在基底上。一个特别有趣的情况是砷化镓衬底的氧化,该薄层由掺杂有石灰的氧化锆制成。

著录项

  • 公开/公告号US4268535A

    专利类型

  • 公开/公告日1981-05-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THOMSON-CSF;

    申请/专利号US19790070043

  • 发明设计人 MICHEL CROSET;GONZALO VELASCO;

    申请日1979-08-27

  • 分类号B05D3/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 14:46:35

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号