Arizona State University.;
机译:用于溶液处理的聚合物薄膜晶体管电路集成的等离子增强化学气相栅极电介质的比较研究
机译:金属氧化物半导体器件中以化学气相沉积作为栅介质的高k-Y {sub} 2O {sub} 3薄膜与硅集成的电流导率和介电行为
机译:栅介质用CeO_2薄膜的制备和电学表征:化学气相沉积与原子层沉积工艺的比较研究
机译:低温金属有机化学气相沉积铝氧化物薄膜的界面质量和电气性能,用于高级CMOS栅极电介质应用
机译:使用远程等离子体化学气相沉积沉积外延硅/硅锗/锗和新型高k栅极电介质。
机译:使用低压化学气相沉积的Si3N4介电层改善介电电润湿微流体器件的介电性能
机译:具有原子层沉积ZrO2AS栅极电介质的化学气相沉积单层MOS2TOP栅极MOSFET
机译:金属有机化学气相沉积制备介质反射镜的高折射率。