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DV/DT Protection circuit device for gate turn-off thyristor

机译:栅极截止晶闸管的DV / DT保护电路装置

摘要

A snubber circuit is connected between the anode and cathode of a gate turn-off (GTO) thyristor. To the GTO thyristor a saturable reactor is connected in series. A gate off signal is supplied to the gate of the GTO thyristor and to the saturable reactor as backward current to reset the saturable reactor.
机译:缓冲电路连接在栅极截止(GTO)晶闸管的阳极和阴极之间。饱和电抗器与GTO晶闸管串联连接。栅极截止信号作为反向电流提供给GTO晶闸管的栅极和可饱和电抗器,以复位可饱和电抗器。

著录项

  • 公开/公告号US4275430A

    专利类型

  • 公开/公告日1981-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO. LTD.;

    申请/专利号US19770863047

  • 发明设计人 NAGATAKA SEKI;YUKIO WATANABE;

    申请日1977-12-21

  • 分类号H02H7/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 14:45:31

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