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SEMICONDUCTOR CHIP TO SUBSTRATE SOLDER BOND USING A LOCALLY DISPERSED, TERNARY INTERMETALLIC COMPOUND

机译:使用局部分散的三元金属间化合物来替代焊锡的半导体芯片

摘要

A solder bond between a semiconductor chip and a substrate is improved by the addition of a region of solder which is dispersion hardened with a ternary intermetallic. In the preferred embodiment the solder is constituted by a solid solution of tin in lead and a uniformly dispersed copper/tin/palladium ternary intermetallic. One of the constituents of the ternary intermetallic is a constituent of the solder.
机译:通过增加用三元金属间化合物弥散硬化的焊料区域,可以改善半导体芯片和基板之间的焊料键合。在优选的实施方案中,焊料由锡在铅中的固溶体和均匀分散的铜/锡/钯三元金属间化合物构成。三元金属间化合物的成分之一是焊料的成分。

著录项

  • 公开/公告号JPS5720709B2

    专利类型

  • 公开/公告日1982-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号JP19740063004

  • 发明设计人

    申请日1974-06-05

  • 分类号H01L21/60;H01L23/485;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 14:25:54

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