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METHOD OF PRODUCING GGG SINGLE CRYSTAL

机译:产生ggg单晶的方法

摘要

PURPOSE:The content of oxygen gas in the nitrogen gas atmosphere is made different between the first half and the latter half in the growth of GGG single crystal to inhibit the contamination with Ir inclusion and increase the length of good-quality crystal. CONSTITUTION:In the production of GGG single crystal by the chokralsky method, the oxygen gas content in the nitrogen gas atmosphere is adjusted to 0.5-3vol% at the first half of the crystal bowl lifting including the heating before the raw material melt down. Then, the content is increased by 1.2-1.5 times that in the first half at the latter half. Thus, the contamination with Ir inclusion is prohibited by controlling the atmosphere to produce GGG single crystal with good-quality crystal length increased.
机译:目的:在GGG单晶生长的前半部分和后半部分中,使氮气气氛中的氧气含量有所不同,以抑制Ir夹杂物的污染并增加优质晶体的长度。组成:在通过chokralsky法生产GGG单晶时,在提起晶体碗的前半部分(包括在原料熔化之前进行加热),将氮气气氛中的氧气含量调整为0.5-3vol%。然后,将含量增加到上半年的1.2-1.5倍。因此,通过控制气氛以生产具有提高的晶体长度的高质量的GGG单晶,可以防止Ir夹杂物的污染。

著录项

  • 公开/公告号JPS57175799A

    专利类型

  • 公开/公告日1982-10-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HITACHI KINZOKU KK;

    申请/专利号JP19810058299

  • 发明设计人 NITANDA FUMIO;ENDOU SHIGEO;ITOU KOUHEI;

    申请日1981-04-17

  • 分类号C01G15/00;C30B15/00;C30B29/28;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 14:23:55

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