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生产单晶氧氮化铌膜的方法和在单晶氧氮化铌膜上产生氢气的方法

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本发明提供一种生产适合用于氢气发生装置的单晶氧氮化铌膜的方法。本发明提供一种生产单晶氧氮化铌膜的方法，所述单晶氧氮化铌膜是由化学式NbON表示的氧氮化铌形成的；此方法包括：(a)在选自经氧化钇稳定的氧化锆基材、氧化钛基材和钇?铝复合氧化物基材的一种基材上外延生长单晶氧氮化铌膜。

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公开/公告号CN105793477A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-20

原文格式PDF
申请/专利权人松下知识产权经营株式会社;
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申请/专利号CN201580002747.3
发明设计人菊地谅介;野村幸生;羽藤一仁;田村聪;藏渕孝浩;
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申请日2015-10-06
分类号C30B29/38;C23C14/34;C25B1/10;C25B9/00;C25B11/06;C30B29/16;
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人林柏楠
地址日本大阪府
入库时间 2023-06-19 00:05:15

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-28

发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B29/38 申请公布日:20160720 申请日:20151006

发明专利申请公布后的撤回
2017-12-05

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/38 申请日:20151006

实质审查的生效
2016-07-20

公开

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