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process for the manufacture of a halfgeleiderlichaam, with a layer of silicon dioxide is formed on a surface of a body of monocrystalline silicon.

机译：用于制造半胶水蜥蜴的方法，其中在单晶硅体的表面上形成二氧化硅层。

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公开/公告号NL171309B

专利类型
公开/公告日1982-10-01

原文格式PDF
申请/专利权人 HITACHI LTD. TE TOKIO.;
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申请/专利号NL19710002685
发明设计人
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申请日1971-03-01
分类号H01L21/316;
国家 NL
入库时间 2022-08-22 13:42:56

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