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机译:多晶硅对单晶硅的选择性反应离子刻蚀
公开/公告号UST101302I4
专利类型
公开/公告日1981-12-01
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号US19810249254D
发明设计人
申请日1981-03-30
分类号H01L21/3213;
国家 US
入库时间 2022-08-22 12:07:29
机译: 单晶硅的选择性反应离子刻蚀多晶硅的方法
机译: 无污染的选择性反应离子刻蚀或多晶硅抗二氧化硅
机译: 选择性地氧化钛硅,二氧化硅,多晶硅和钨的氮化钛层反应离子刻蚀的方法