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METHOD FOR REMOVING DEFFECTS FROM WORKING VOLUME OF POTENTIAL BARRIER SEMICONDUCTOR STRUCTURES

机译：消除势垒半导体结构工作量缺陷的方法

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摘要

method of removing defects from the working volume of semiconductor structures with a potential barrier, заключающийс isthe surface of the structure by means of fixing расположени defects and serves

机译：一种通过势垒从半导体结构的工作空间中去除缺陷的方法，通过固定расположени缺陷来修复结构的表面并提供服务

著录项

公开/公告号SU878105A1

专利类型
公开/公告日1983-04-15

原文格式PDF
申请/专利权人 INSTFIZ POLUPROVODNIKOV SO AN SSSR;NOVOSIBIRSKIJ G UNIV IM.LENINSKOGO KOMSOMOLA;
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申请/专利号SU19772468867
发明设计人 SEMENOVA I.T.SU;ZALETIN V.M.SU;MALKOVSKIJ A.S.SU;
展开▼

申请日1977-03-24
分类号H01L21/3063;
国家 SU
入库时间 2022-08-22 10:18:48

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