消除金属缺陷引起的器件短路的方法及半导体结构

摘要

本发明提供了一种消除金属缺陷引起的器件短路的方法及半导体器件，所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括衬底、金属层和金属层间介质层，所述金属层和所述金属层间介质层位于所述衬底上，所述金属层间介质层覆盖所述金属层，所述金属层具有山丘缺陷；对所述金属层间介质层进行平坦化工艺；在所述平坦化工艺后的所述金属层间介质层上形成覆盖层。在本发明提供的消除金属缺陷引起的器件短路的方法及半导体器件中，在金属层中出现山丘缺陷时，通过平坦化工艺处理后再形成覆盖层，通过覆盖层可防止山岳缺陷在后续制程中引用器件短路，从而提高产品的良率。