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机译:低压Zno压敏电阻的制造方法
公开/公告号JPS59172203A
专利类型
公开/公告日1984-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJI DENKI SEIZO KK;
申请/专利号JP19830046910
发明设计人 NAGASAWA IKUO;KOUE KAZUO;TSUDA KOUICHI;
申请日1983-03-19
分类号H01C7/10;C04B35/00;C04B35/453;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 09:40:18
机译: 低压Zno压敏电阻的制造方法
机译: 在高电流密度下具有低电压上升的金属氧化物变阻器的制造方法,使用该方法制造的变阻器及其用途
机译: 使用基于zno的压敏电阻生产ueberspannungsableiter的方法,然后生产ueberspannungsableiter。