法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-07-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01C 7/112 授权公告日:20110608 终止日期:20130516 申请日:20080516
专利权的终止
2011-06-08
授权
授权
2009-10-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-10-15
公开
公开
机译: p型基于ZnO的半导体层制造方法,基于ZnO的半导体元件制造方法和n型基于ZnO的半导体层状结构
机译: p型基于ZnO的半导体层制造方法,基于ZnO的半导体元件制造方法和n型基于ZnO的半导体层状结构
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