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层状结构低压ZnO压敏电阻器制造方法

摘要

本发明涉及一种层状结构低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法及其制造的电阻,属于电器元件及其材料制造技术领域。一组原料是ZnO中加入从掺杂元素Bi、Al、Fe、Eu、Pr、La、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、纳米ZnO中任选的氧化物粉组成混合原料,另一组原料是不添加元素或从Al、Ti、Mn、Cr、Co等的氧化物中选择一部分掺入ZnO组成混合原料,两组粉料按比例放入模具压制成型并逐渐加热、保温排胶,再加热烧结,得到层状结构低压ZnO压敏陶瓷材料;进行表面加工,被电极烧银,测试后封装,得到产品。本发明具有工艺简单、成本较低、性能好、使用范围广,所生产电阻重复性、稳定性、一致性好,电参数值有显著改进的优点等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN101286393B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN200810058400.2

  • 申请日2008-05-16

  • 分类号

  • 代理机构昆明今威专利代理有限公司;

  • 代理人赵云

  • 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学)

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01C 7/112 授权公告日:20110608 终止日期:20130516 申请日:20080516

    专利权的终止

  • 2011-06-08

    授权

    授权

  • 2009-10-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-15

    公开

    公开

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