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低压ZnO压敏电阻器的性能优化

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第一章 绪论

1.1 引言

1.2 低压ZnO压敏电阻器的制备方法及应用概况

1.2.1 制备工艺发展概况

1.2.2 应用类型及领域

1.3 课题与实验方案的确定

1.3.1 课题的确定

1.3.2 实验方案的确定

第二章 ZnO压敏电阻器的基本理论

2.1 ZnO的晶体结构

2.2 ZnO的能带结构

2.3 ZnO的缺陷结构

2.4 ZnO压敏陶瓷的微观形貌

2.5 ZnO压敏电阻器的导电机理

2.5.1 ZnO半导瓷晶粒边界的双肖特基势垒

2.5.2 ZnO晶界导电性质

2.6.ZnO压敏电阻器的老化机理

2.7 ZnO压敏电阻器的电学性能

2.8 ZnO压敏电阻器的电学性能参数

2.9 ZnO压敏电阻器工作机理

第三章 化学制备方法技术基础

3.1 化学共沉淀法基础浅释

3.1.1 化学共沉淀法制备复合纳米粉体的原理

3.1.2 沉淀剂的选择

3.1.3 沉淀条件的确定

3.2 溶胶凝胶技术基础浅释[]

3.2.1 溶胶-凝胶基本概念

3.2.2 溶胶-凝胶法的原理

3.2.3 溶胶-凝胶方法的特点

第四章 湿化学方法制备ZnO压敏电阻器

4.1 TiO2溶胶的引入

4.1.1 TiO2溶胶的制备

4.1.2 制备压敏电阻器

4.2 氧化锌籽晶的引入

4.2.1 氧化锌籽晶的制备

4.2.2 制备压敏电阻器

4.3 Co,Mn,Bi共沉淀粉体的引入

4.3.1 Co,Mn,Bi共沉淀粉体的制备

4.3.2 制备压敏电阻器

4.4 三合一方法制备压敏电阻器

4.5 全溶胶方法制备压敏电阻器

4.5.1 溶胶的制备

4.5.2 制备工艺的改进

4.5.3 制备压敏电阻器

4.6 本章小结

第五章 总结

致谢

参考文献

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摘要

ZnO压敏电阻器具有优良的非线性伏安特性,大的浪涌吸收能力,在稳态工作电压下漏电流很小(能耗低)。利用这些特征可制造各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护装置。随着电子计算机、家用电器、通讯技术等方面的发展,对保证这些系统正常运行的低压压敏变阻器的需求量不断增加,但目前国内的低压压敏电阻器存在着大电流性能较差,易吸潮,成品率较低等问题,故本课题就针对这些问题进行了研究。
   本文介绍了本课题的研究思路及所采用的方法。本实验是利用湿化学制备方法来代替传统的固相制备法,通过引入TiO2溶胶,ZnO籽晶,Co,Mn,Bi共沉淀粉体极大的改善了电阻器的8/20μs冲击性能及2ms能量耐量。后又介绍了将压敏电阻器中大部分添加剂制备成复合溶胶的全溶胶方法,该方法在极大的改善电阻器大电流性能的同时还优化了电阻器的限压特性,其平均8/20雷电波冲击电流可达1000A(直径为8.8mm的样片),限压比分布在3~4之间。本文还介绍了实验过程中利用SEM,XPS,TG-DTA等分析手段解决实验中所出现的问题,并为实验结果提供了依据。

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