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METHOD OF DECIDING AZIMUTH OF (100)INP SUBSTRATE WAFER

机译:确定(100)inP衬底晶片的方位角的方法

摘要

A method for determining crystallographic orientation of an InP substrate wafer includes the steps of immersing at least a portion of the substrate wafer in a chemical etchant for a predetermined amount of time to expose features having a predetermined shape and designating a particular crystallographic direction on the substrate wafer in accordance with relative positions of features on the portion of the substrate wafer.
机译:确定InP衬底晶片的晶体学取向的方法包括以下步骤:将衬底晶片的至少一部分浸入化学蚀刻剂中预定的时间量,以暴露具有预定形状的特征,并在衬底上指定特定的晶体学方向。根据特征在衬底晶片的该部分上的相对位置来对准晶片。

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