首页> 外国专利> Copper plating bath having increased plating rate, and method

Copper plating bath having increased plating rate, and method

机译:具有增加的镀覆速度的铜镀覆浴和方法

摘要

A copper plating bath containing a sulfur-containing anion other than sulfate anion and/or a selenium-containing anion other than a selenate anion and/or a tellurium-containing anion other than a tellurate anion in an amount sufficient to increase the plating rate, and method for electroplating copper onto a substrate with the plating bath.
机译:一种铜镀浴,其含有足以增加镀覆速率的量,所述硫酸镀阴离子以外的含硫阴离子和/或硒酸根阴离子和/或碲以外的含硒阴离子的含硒阴离子和碲酸阴离子以外的含硒阴离子。以及使用镀浴将铜电镀到基板上的方法。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号