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Liquid phase epitaxial growth of bismuth-containing garnet films

机译:含铋石榴石薄膜的液相外延生长

摘要

Epitaxial layers of bismuth containing magnetic garnet materials are grown from a melt which comprises flux components lead oxide, bismuth oxide, and one or several additional oxides selected from vanadium oxide, tungsten oxide, and molybdenum oxide. The presence of such additional flux component results in increased magnetic anisotropy per degree of supercooling and thus enhances device properties and facilitates epitaxial layer deposition.
机译:含铋的磁性石榴石材料的外延层是从熔体中生长的,该熔体包含助熔剂成分氧化铅,氧化铋和一种或几种选自氧化钒,氧化钨和氧化钼的其他氧化物。这种额外的通量成分的存在导致每过冷度的磁各向异性增加,因此增强了器件性能并促进了外延层沉积。

著录项

  • 公开/公告号US4544438A

    专利类型

  • 公开/公告日1985-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AT&T BELL LABORATORIES;

    申请/专利号US19840615836

  • 发明设计人 LARS C. LUTHER;VIRENDRA V. S. RANA;

    申请日1984-05-31

  • 分类号C30B19/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 07:51:54

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