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semiconductor geheugeninrichting with at least a composite halfgeleidergeheugencel inspired in the halfgeleidergeheugencellen common halfgeleiderlichaam.

机译：半导体存储器件具有至少一个复合半导体存储单元，在半导体存储单元中激发出共同的半导体主体。

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公开/公告号NL180151B

专利类型
公开/公告日1986-08-01

原文格式PDF
申请/专利权人 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA TE TOKIO JAPAN.;
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申请/专利号NL19750014642
发明设计人
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申请日1975-12-16
分类号G11C11/40;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/36;
国家 NL
入库时间 2022-08-22 07:41:08

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