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Graded band grap solar cell with an amorphous silicon semiconductor body and method for making it

机译:具有非晶硅半导体本体的梯度带隙太阳能电池及其制造方法

摘要

In a solar cell consisting of amorphous hydrogenised silicon and having the layer sequence p-i-n (1, 2, 3), the i-type layer (3) is made up of a material combination with varying band gaps which produces both a widening and a narrowing of the energy band gap (Eg) in the amorphous silicon. Preferably, the material combination is produced by incorporating carbon or nitrogen and/or by incorporating germanium or tin in the i-type layer (3). The solar cell can be produced relatively simply by HF glow discharge deposition, but is nevertheless outstanding for its maximum light absorption. IMAGE
机译:在由非晶态氢化硅组成并具有层序引脚(1、2、3)的太阳能电池中,i型层(3)由带隙变化的材料组合构成,该带隙会产生变宽和变窄非晶硅中的能带隙(Eg)的变化。优选地,通过在i型层(3)中掺入碳或氮和/或掺入锗或锡来产生材料组合。可以通过HF辉光放电沉积来相对简单地制造太阳能电池,但是由于其最大的光吸收而突出。 <图像>

著录项

  • 公开/公告号EP0178639A3

    专利类型

  • 公开/公告日1987-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号EP19850113088

  • 发明设计人 KRÜHLER WOLFGANG DR.;

    申请日1985-10-15

  • 分类号H01L31/06;H01L29/167;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 07:15:27

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