首页> 外国专利> Amorphous silicon solar cells incorporating an insulating layer in the body of amorphous silicon and a method of suppressing the back diffusion of holes into an N-type region

Amorphous silicon solar cells incorporating an insulating layer in the body of amorphous silicon and a method of suppressing the back diffusion of holes into an N-type region

机译:在非晶硅体内结合有绝缘层的非晶硅太阳能电池以及抑制空穴向N型区域的向后扩散的方法

摘要

Hydrogenated amorphous silicon solar cells which incorporate a thin insulating layer between a photoactive layer of intrinsic hydrogenated amorphous silicon and a heavily doped radiation incident N or N.sup.+ - type layer of hydrogenated amorphous silicon.
机译:氢化非晶硅太阳能电池,其在本征氢化非晶硅的光敏层与重掺杂的入射N或N + +型氢化非晶硅层之间掺有薄绝缘层。

著录项

  • 公开/公告号US4415760A

    专利类型

  • 公开/公告日1983-11-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHEVRON RESEARCH COMPANY;

    申请/专利号US19820367815

  • 发明设计人 ARUN MADAN;

    申请日1982-04-12

  • 分类号H01L31/06;H01L31/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 08:40:32

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号