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DIETHYLBERYLLIUM DOPANT SOURCE FOR MOCVD GROWN EPITAXIAL SEMICONDUCTOR LAYERS

机译:用于MOCVD生长的表皮半导体层的二乙基铍掺杂剂源

摘要

metal organic compound of transport for the growth of the epitaxial layers doped with bérylium easily reproducible.in a system of mocvd reactor is a process involving the deposition of a layer of epit
机译:掺杂铍的外延层生长的金属有机化合物易于重现。在mocvd反应器系统中,该过程涉及沉积一层epi

著录项

  • 公开/公告号EP0138963B1

    专利类型

  • 公开/公告日1988-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HUGHES AIRCRAFT COMPANY;

    申请/专利号EP19840901513

  • 发明设计人 PARSONS JAMES D.;

    申请日1984-03-15

  • 分类号H01L21/205;H01L29/207;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 06:55:56

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