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机译:P3导电的A3 B5半导体的多层欧姆接触及其固溶体
公开/公告号PL146078B1
专利类型
公开/公告日1988-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号PL19850252666
发明设计人
申请日1985-03-30
分类号H01L21/28;H01L33/00;
国家 PL
入库时间 2022-08-22 06:38:19
机译: P3导电的A3 B5半导体的多层欧姆接触及其固溶体
机译: 银基合金的热接触,使其与A3向下B5向下化合物的半导体结构