首页> 外国专利> MULTILAYER OHMIC CONTACT FOR A3 B5 SEMICONDUCTORS AND THEIR SOLID SOLUTIONS IN PARTICULAR FOR GAAS OF P-TYPE CONDUCTION

MULTILAYER OHMIC CONTACT FOR A3 B5 SEMICONDUCTORS AND THEIR SOLID SOLUTIONS IN PARTICULAR FOR GAAS OF P-TYPE CONDUCTION

机译:P3导电的A3 B5半导体的多层欧姆接触及其固溶体

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号PL146078B1

    专利类型

  • 公开/公告日1988-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号PL19850252666

  • 发明设计人

    申请日1985-03-30

  • 分类号H01L21/28;H01L33/00;

  • 国家 PL

  • 入库时间 2022-08-22 06:38:19

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