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Method for obtaining submicron features from optical lithography technology

机译:通过光刻技术获得亚微米特征的方法

摘要

A method for the construction of submicron features using optical lithography technology. A material is deposited on a surface to be etched, this material is partially etched through using optical lithography technology. Sidewalls are deposited to reduce the size of this etched area to the submicron size desired. The etch of the layer is then completed resulting in a submicron mask for the substrate below.
机译:一种使用光学光刻技术构建亚微米特征的方法。将材料沉积在要蚀刻的表面上,通过使用光学光刻技术对材料进行部分蚀刻。沉积侧壁以将该蚀刻区域的尺寸减小至所需的亚微米尺寸。然后完成该层的蚀刻,从而为下面的基板形成亚微米掩模。

著录项

  • 公开/公告号US4801350A

    专利类型

  • 公开/公告日1989-01-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MOTOROLA INC.;

    申请/专利号US19860947069

  • 发明设计人 FREDERICK J. ROBINSON;ROBERT J. MATTOX;

    申请日1986-12-29

  • 分类号B44C1/22;C03C15/00;H01L21/306;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 06:28:39

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