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机译:到硅的稳定的和尼迪奥姆接触的生产方法
公开/公告号DD298974A5
专利类型
公开/公告日1992-03-19
原文格式PDF
申请/专利权人 DRESDEN FORSCHZENTR MIKROELEK DE;
申请/专利号DD19900338140
发明设计人 HEMPEL HANS-DIETER DE;HINTZE BERND DE;
申请日1990-02-26
分类号H01L21/283;C23C28/00;
国家 DD
入库时间 2022-08-22 05:36:06
机译: Mosi深度2-触点上产生稳定和尼得莫生运动的方法
机译: 在集成的halbleiterschaltungen中制造稳定的尼德罗姆触点的方法。
机译: 硅熔体接触构件及其生产方法以及结晶硅的生产方法