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机译:包括次级LDMOS功率晶体管,CMOS和垂直PNP集成结构的单片集成电路
公开/公告号KR920005364A
专利类型
公开/公告日1992-03-28
原文格式PDF
申请/专利权人 루이기 론치;
申请/专利号KR19900012929
发明设计人 클라우디오 콘티에로;파올라 갈비아띠;루씨아 줄리노;
申请日1990-08-22
分类号H01L29/06;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:28:28
机译: 一种单芯片集成电路,包括辅助LDMOS功率晶体管,CMOS和垂直PNP集成结构
机译: 包含互补LDMOS功率晶体管,CMOS和垂直PNP集成结构的混合技术集成设备,具有增强的能力以承受相对较高的电源电压
机译: 带有互补ldmos功率晶体管,CMOS和垂直集成pnp结构的集成设备,采用混合方式,能够承受较高的电源电压