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Has simple electrode structure vis-a-vis each pixel the non interlace inter- line transfer die CCD image sensor

机译:相对于每个像素具有简单的电极结构非隔行扫描线CCD图像传感器

摘要

An interline transfer type area image sensor which operates in a non-interlaced mode and has an array of columns and rows of photoreceptors in which charge from each pixel is transferred into a stage of a vertical two-phase CCD shift register formed by adjacent electrodes of the CCD. Each electrode of a stage has a separate voltage clock. An ion implant barrier region is formed under an edge of each electrode.
机译:一种行间传输型区域图像传感器,该传感器以非隔行模式工作,并具有成行和成行的感光体阵列,其中来自每个像素的电荷被传输到由相邻电极组成的垂直两相CCD移位寄存器的级中CCD。级的每个电极都有一个单独的电压时钟。在每个电极的边缘下方形成离子注入势垒区。

著录项

  • 公开/公告号JPH05502757A

    专利类型

  • 公开/公告日1993-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号JP19910501510

  • 发明设计人

    申请日1990-11-28

  • 分类号H01L27/148;H04N5/335;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 05:19:30

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