首页> 外国专利> FORMATION OF PHASE SHIFT EXPOSING MASK, PHASE SHIFT EXPOSING MASK AND PHASE SHIFT EXPOSING METHOD

FORMATION OF PHASE SHIFT EXPOSING MASK, PHASE SHIFT EXPOSING MASK AND PHASE SHIFT EXPOSING METHOD

机译:移相掩模的形成,移相掩模和移相方法

摘要

PURPOSE:To provide a method for formation of the phase shift exposing mask which is improved in a light intensity distribution by removing the parts (sub- peaks) where the light intensity considered to be caused by interference of transmitted light between light transparent parts, such as hole patterns, increases, the phase shift exposing mask and the phase shift exposing method. CONSTITUTION:The patterns 3a, 3b (microapeture patterns, translucent patterns varying in phases, light shielding patterns, etc.) which decrease the sub-peaks generated by the interference of light are formed on the phase shift exposing mask having the light transparent parts 1a, 1b transparent to exposing light and the translucent parts 2 which in low in transmittance with respect to the light transparent parts and allow the transmission of the exposing light by varying the phase from the phase of the light transparent parts.
机译:用途:提供一种形成相移曝光掩模的方法,该方法通过去除被认为是由透光部分之间的透射光干扰引起的光强的部分(子峰)来改善光强分布,例如随着孔图案的增加,相移曝光掩模和相移曝光方法。组成:在具有透光部分1a的相移曝光掩模上形成图案3a,3b(微孔图案,相位变化的半透明图案,遮光图案等),这些图案可减少因光的干扰而产生的亚峰。透明曝光部件1b,1b对透光部件透明,并且透光部件2相对于透光部件具有低透射率,并且通过从透光部件的相位改变相位而允许曝光光的透射。

著录项

  • 公开/公告号JPH06308715A

    专利类型

  • 公开/公告日1994-11-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SONY CORP;

    申请/专利号JP19930123317

  • 发明设计人 SHIMIZU HIDEO;

    申请日1993-04-27

  • 分类号G03F1/08;H01L21/027;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 04:50:58

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号