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APPARATUS FOR RECOVERY OF THRESHOLD VOLTAGE SHIFT IN AMORPHOUS SILICON THIN-FILM TRANSISTOR DEVICE

机译:非晶硅薄膜晶体管器件中阈值电压漂移的恢复装置

摘要

An apparatus is provided for recovery of a threshold voltage, Vth, of thin-film amorphous silicon transistors (12) deposited on a substrate (10) and a gate voltage is applied to each of the transistors (12) during use, causing Vth to shift with time. The apparatus detect when the LCD display (10) is not being used, generates a voltage Vg', of opposite polarity with respect to Vg when the LCD display is not being used, and applies Vg' to the gates of the transistors (12) of the LCD display (10) for causing Vth to shift in a direction opposite to that caused by Vg, thereby maintaining an effective driving voltage for the transistor (12) of the LCD display (10).
机译:提供一种用于恢复沉积在基板(10)上的薄膜非晶硅晶体管(12)的阈值电压Vth的装置,并且在使用期间将栅极电压施加到每个晶体管(12),从而使Vth下降到随着时间的推移。该设备检测何时不使用LCD显示器(10),当不使用LCD显示器时产生相对于Vg极性相反的电压Vg',并将Vg'施加到晶体管(12)的栅极。液晶显示装置(10)的第二驱动器,用于使Vth沿与由Vg引起的方向相反的方向偏移,从而保持用于液晶显示装置(10)的晶体管(12)的有效驱动电压。

著录项

  • 公开/公告号WO9425954A1

    专利类型

  • 公开/公告日1994-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PRIME VIEW HK LIMITED;

    申请/专利号WO1994GB00467

  • 发明设计人 HY DYI-CHUNG;LEE SYWE NENG;

    申请日1994-03-10

  • 分类号G09G3/36;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-22 04:40:31

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