首页> 中国专利> 复原非晶硅薄膜晶体管器件阈值电压漂移的装置

复原非晶硅薄膜晶体管器件阈值电压漂移的装置

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

提供了一种用于复原淀积在衬底(10)上的薄膜非晶硅晶体管(12)的阈值电压Vth的装置，在使用期间把栅压加到每个晶体管(12)上，造成Vth随时间漂移。该装置检测LCD显示器(10)不被使用的时间，在LCD显示器不被使用时产生与Vg极性相反的电压Vg′，并把Vg′加到LCD显示器(10)的晶体管栅极上，使Vth在与Vg′所引起的漂移相反的方向上漂移，由此保持对LCD显示器(10)的晶体管的有效驱动电压。

著录项

公开/公告号CN1122165A

专利类型发明专利
公开/公告日1996-05-08

原文格式PDF
申请/专利权人普赖姆·弗尤香港有限公司;
展开▼

申请/专利号CN94191947.1
发明设计人李学能;胡戴春;
展开▼

申请日1994-05-10
分类号G09G3/36;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王以平
地址香港
入库时间 2023-12-17 12:44:03

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
1997-02-12

专利申请的视为撤回

专利申请的视为撤回
1996-05-08

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 复原非晶硅薄膜晶体管器件阈值电压漂移的装置 [P] . 中国专利： CN1122165A . 1996-05-08
2. 阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置 [P] . 中国专利： CN110111712A . 2019-08-09
3. APPARATUS FOR RECOVERY OF THRESHOLD VOLTAGE SHIFT IN AMORPHOUS SILICON THIN-FILM TRANSISTOR DEVICE [P] . 世界知识产权组织专利： WO9425954A1 . 1994-11-10

机译：非晶硅薄膜晶体管器件中阈值电压漂移的恢复装置
4. METHOD AND DEVICE FOR RECOVERING THRESHOLD VOLTAGE FOR AMORPHOUS SILICON THIN FILM TRANSISTOR DEVICE [P] . 日本专利： JPH06347753A . 1994-12-22

机译：恢复非晶硅薄膜晶体管器件的阈值电压的方法和装置
5. Apparatus for recovery of threshold voltage shift in amorphous silicon thin-film transistor device [P] . AU6150094A . 1994-11-21

机译：用于恢复非晶硅薄膜晶体管器件中的阈值电压偏移的设备