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Test structure for characterization, the latch-up circuits cmo5.

机译:表征测试的结构,闩锁电路cmo5。

摘要

TEST STRUCTURE FOR characterization LASTCH-UP IN CMOS CIRCUITS ON A DEVICE THAT ALLOWS DETERMINATION OF DIFFERENT SENSITIVITY AND PROCESSES TECNOLOGICOS GEOMETRIAS UNWANTED PHENOMENON KNOWN TO LATCH-UP. By combining DISPOSITICO PNPN A SENSIBLE, AN INTEGRATED CMOS capacity and strength is achieved IMPLEMENT A ASTABLE oscillator whose output signal allows direct GET THE LATCH-UP CHARACTERISTIC PARAMETERS SIMPLY visualizing using an oscilloscope analog or digital. The structure can be implemented in any CMOS LSI or VLSI TECHNOLOGY, by superimposing a nine LEVELS WITH MASCARA A typical design as presented. The application is in the world of the microelectronics industry.
机译:用于在设备上的CMOS电路中表征升压的测试结构,该测试结构可以确定不同的灵敏度,并且可以处理技术几何学不需要的已知现象。通过组合合理的DISPOSITICO PNPN A,可实现集成的CMOS容量和强度。实现稳定的振荡器,其输出信号可直接使用示波器模拟或数字直观地获取闩锁特性参数。该结构可以通过将九个层与MASCARA叠加在一起而在任何CMOS LSI或VLSI技术中实现。该应用在微电子工业的世界中。

著录项

  • 公开/公告号ES2036453R

    专利类型

  • 公开/公告日1995-05-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号ES19910001476

  • 发明设计人

    申请日1991-06-21

  • 分类号G01R31/28;H01L21/334;

  • 国家 ES

  • 入库时间 2022-08-22 04:16:52

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