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机译:隧道填充型渡越时间效应三端子半导体器件
公开/公告号JP2549916B2
专利类型
公开/公告日1996-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 HANDOTAI KENKYU SHINKOKAI;
申请/专利号JP19890125599
发明设计人 NISHIZAWA JUNICHI;
申请日1981-05-12
分类号H01L29/864;H01L29/423;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 03:58:25
机译: 隧道注入型瞬态效应三端半导体器件
机译: 光电半导体芯片具有布置在n型隧道层和p型隧道层之间的未掺杂中间层的未掺杂区,其中n型和p型隧道层通过未掺杂区彼此分开。
机译: 在倒装芯片型半导体器件的填充材料下,使用该相同材料的倒装芯片型半导体器件及其制造方法