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the MeV BILLI with rust and the meaning of CMOS vertical modulation method (Buried Implanted Layer for Lateral Isolation) with the meaning of CMOS vertical modulation method

机译:带有锈蚀的MeV BILLI和CMOS垂直调制方法含义的CMOS垂直调制方法(横向隔离的埋入注入层)的含义

摘要

CMOS vertical modified meaning of the cross direction for separation and injection layer have a structure for the formation of rust and Mev ion injection, the use of.
机译:CMOS垂直修饰的意思是用于交叉方向的分离和注入层的结构,用于形成铁锈和Mev离子注入,使用。

著录项

  • 公开/公告号KR19980700687A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 존 알새보르그;

    申请/专利号KR19970703421

  • 发明设计人 죤 오. 볼랜드;

    申请日1997-05-19

  • 分类号H01L21/8238;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 02:45:26

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