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机译：用于模拟非易失性存储器的读取电路，特别是-King Flash eeprom，用于直接读取电压阈值和电流
公开/公告号ITTO980068A1
专利类型
公开/公告日1999-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L.;
申请/专利号IT1998TO00068
发明设计人 CANEGALLO ROBERTO;PASOTTI MARCO;CHIOFFI ERNESTINA;GUAITINI GIOVANNI;
申请日1998-01-27
分类号G11C11/56;G11C16/28;G11C27/00;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 02:25:05
机译： 用于非易失性模拟存储器（特别是闪存存储器）的读取电路，具有直流和恒定电流阈值电压读取
机译： 用于非易失性存储单元，尤其是模拟或多层闪存或EEPROM存储单元的高精度模拟读取的电路
机译： 可通过补偿闪存存储器的阈值电压的变化来提高可靠性的非易失性存储器及其读取方法
