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SUB-MICRON GATE ARRAY

机译:亚微米门阵列

摘要

1. The technical field to which the invention described in the claims belongs:;We will be concerned with the submicron gate array I / O master slice.;2. The technical problem to be solved by the invention:;A submicron gate array input / output master slice is provided to ensure stable operation.;3. Summary of the solution of the invention:;A sub-micron gate array input / output master slice, comprising: a level shift region consisting of an n-type transistor region, an isolated-type transistor region, and a shared-type transistor region; a receiving region comprising an isolated-type transistor and an-en transistor; The present invention is made up of a free drive region consisting of a separate type transistor and an n-type transistor, and an output drive region composed of a left-right symmetrical separated transistor.;4. Important uses of the invention:;Suitable for submicron gate array input and output master slices.
机译:1.权利要求中描述的发明所属的技术领域:我们将关注亚微米级门阵列I / O主片。本发明要解决的技术问题:提供亚微米级门阵列输入/输出主片,以确保稳定的工作。本发明的解决方案的概要:亚微米级门阵列输入/输出主片,包括:由n型晶体管区,隔离型晶体管区和共享型晶体管区组成的电平移位区;接收区域,其包括隔离型晶体管和-en晶体管;本发明由一个由独立型晶体管和一个n型晶体管组成的自由驱动区和一个由左右对称的独立晶体管组成的输出驱动区组成; 4。本发明的重要用途:适用于亚微米级门阵列输入和输出主片。

著录项

  • 公开/公告号KR0177758B1

    专利类型

  • 公开/公告日1999-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR19950044243

  • 发明设计人 정승호;

    申请日1995-11-28

  • 分类号H01L27/118;G11C7/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 02:16:16

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