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Target containment feature null of thin film formation

机译:目标遏制特征没有形成薄膜

摘要

A device for forming thin film having a plurality of low-pressure chambers, an evacuating means connected thereto, and a gas feeding means. The device further includes at least one first low-pressure chamber with means for irradiating a wafer with ions of small kinetic energy while avoiding any film deposition on it, at least one second low-pressure chamber for forming a thin film on the wafer surface by sputtering, and a mechanism for transporting the wafer between the first and the second low-pressure chambers while keeping it under low pressure.
机译:一种用于形成薄膜的装置,该装置具有多个低压室,连接到其上的抽气装置以及气体供给装置。该装置还包括至少一个第一低压室,该第一低压室具有用于以小的动能离子向晶片照射同时避免任何膜沉积的装置;至少一个第二低压室,用于通过以下方式在晶片表面上形成薄膜:溅射,以及在第一和第二低压室之间输送晶片同时保持其低压的机构。

著录项

  • 公开/公告号JP3017437B2

    专利类型

  • 公开/公告日2000-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大見 忠弘;

    申请/专利号JP19950337948

  • 发明设计人 大見 忠弘;柴田 直;梅田 優;

    申请日1995-11-30

  • 分类号H01L21/31;C23C14/34;H01L21/203;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 02:03:17

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